碳化硅外观测试

检测项目

1.表面缺陷检测：划痕，颗粒污染，凹坑，橘皮，裂纹，沾污，色差，异物附着。

2.边缘完整性检测：崩边，缺口，边缘碎裂，边缘粗糙度，边缘轮廓形状。

3.几何尺寸测量：晶片直径，厚度，总厚度偏差，弯曲度，翘曲度，局部平整度。

4.表面形貌与粗糙度：表面轮廓，算术平均粗糙度，微观峰谷高度，表面波纹度。

5.薄膜质量测试：外延层表面缺陷，薄膜均匀性，膜层色斑，生长缺陷。

6.图形与结构检测：光刻图形完整性，线条边缘粗糙度，图形套刻偏差，电极形貌。

7.晶体质量初判：多型夹杂，小角晶界，宏观缺陷，生长条纹可见度。

8.金属化层外观：金属层均匀性，氧化，变色，起泡，剥离，腐蚀。

9.封装体外观检测：封装材料完整性，引线框架位置，焊点形貌，外壳污染。

10.标记与标识检测：激光打标清晰度，内容准确性，位置正确性，标记对衬底的损伤。

11.清洁度测试：表面残留颗粒数量与尺寸分布，化学残留痕迹，水渍。

12.腐蚀与氧化状况：表面氧化层均匀性，局部腐蚀点，化学腐蚀痕迹。

检测范围

碳化硅衬底晶片、碳化硅同质外延片、碳化硅肖特基二极管裸芯片、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管裸芯片、碳化硅功率模块、碳化硅晶锭、碳化硅抛光片、带背面金属化的碳化硅芯片、碳化硅晶片测试片、碳化硅外延片陪片、碳化硅沟槽栅器件、碳化硅结势垒肖特基二极管、碳化硅半桥模块、碳化硅混合模块、分立器件封装体、汽车级功率模块外壳、碳化硅晶片再生片、碳化硅厚膜外延材料

检测设备

1.光学显微镜：用于低倍至高倍下的表面宏观缺陷、图形结构及污染物的初步观察与定性分析。

2.激光共聚焦显微镜：用于非接触式三维表面形貌重建，精确测量表面粗糙度、台阶高度和微观几何轮廓。

3.扫描电子显微镜：提供极高的景深和分辨率，用于观察纳米级表面形貌、缺陷细节以及截面结构分析。

4.原子力显微镜：用于在原子或纳米尺度上表征表面形貌和粗糙度，尤其适用于超光滑表面测试。

5.白光干涉仪：用于快速、大面积测量表面形貌、平整度、翘曲度以及薄膜厚度均匀性。

6.膜厚测量仪：通过光谱反射或椭圆偏振原理，精确测量外延层、氧化层等透明或半透明薄膜的厚度与光学常数。

7.分光光度计：通过测量样品表面的反射光谱，间接测试薄膜厚度均匀性、表面粗糙度及色差。

8.自动光学检测系统：集成高分辨率相机与图像处理软件，用于晶圆表面缺陷的快速、全自动扫描、识别与分类。

9.X射线衍射仪：用于晶体质量的无损测试，可检测晶格弯曲、应力以及多型结构等与外观相关的内在质量信息。

10.红外热像仪：用于测试功率器件在通电工作时的表面温度分布均匀性，间接反映结构设计与材料缺陷。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.